[发明专利]捕集装置、排气系统以及采用该排气系统的处理系统有效
申请号: | 200880011133.1 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101652834A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 山崎良二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/44;B01D53/34 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种设置在排出来自对被处理体W进行处理的处理室(10)的排放气体的排气通路(22)上,用于从排放气体捕获排气物的捕集装置,能够高效率地将被捕集元件捕获的排气物除去再生捕集元件的技术。捕集装置包括:设置在排气通路的筐体并捕获排气物的捕集元件(48);加热捕集元件的捕集加热装置(54);向筐体内导入冷却介质的冷却介质导入装置(60);用于从筐体排出冷却介质的冷却介质排出部(62);和按照以下方式进行控制的控制部,即:用于除去由捕集元件捕获的排出物,在通过捕集加热装置加热捕集元件的状态下,通过冷却介质导入装置向筐体内导入所述冷却介质。 | ||
搜索关键词: | 集装 排气 系统 以及 采用 处理 | ||
【主权项】:
1.一种捕集装置,其设置在排出来自对被处理体进行处理的处理室的排放气体的排气通路上,用于从所述排放气体捕获排气物,该捕集装置的特征在于,包括:设置在所述排气通路的筐体;设置在所述筐体内捕获所述排气物的捕集元件;加热所述捕集元件的捕集加热装置;向所述筐体内导入冷却介质的冷却介质导入装置;用于从所述筐体排出所述冷却介质的冷却介质排出部;和按照以下方式控制所述捕集加热装置和所述冷却介质导入装置的控制部,即:用于从所述捕集元件除去由所述捕集元件捕获的所述排出物,而在通过所述捕集加热装置加热所述捕集元件的状态下,通过所述冷却介质导入装置向所述筐体内导入所述冷却介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造