[发明专利]干蚀刻方法有效
| 申请号： | 200880011651.3 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101652841A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 森川泰宏;邹红罡 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种既可防止绝缘层产生缺口又可进行高精度的细微加工的干蚀刻方法。该干蚀刻方法为：准备基板，其中，在由硅氧化物构成的绝缘层(23)上形成有半导体层(21)；在半导体层上形成通孔；对绝缘层中从通孔(25)露出的区域进行蚀刻，在绝缘层上形成凹处(26)，同时在通孔和凹处的侧壁上形成树脂膜(27)。通过在凹处的侧壁上形成树脂膜，可保护凹处的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止凹处侧壁产生缺口；通过在通孔的侧壁上形成树脂膜，可保护通孔的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止通孔的孔形状发生变化。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干蚀刻方法，其特征在于，准备基板，该基板中，在由硅氧化物构成的绝缘层上形成有半导体层，在所述半导体层上形成通孔，对所述绝缘层中、经由所述通孔露出的区域进行蚀刻，在所述绝缘层上形成凹处，与此同时，在所述通孔和所述凹处的侧壁上形成树脂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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