[发明专利]生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体有效
| 申请号： | 200880012096.6 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101842524A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 谷崎圭祐;水原奈保;宫永伦正;中幡英章;山本喜之 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/02;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体，在生长氮化铝晶体的过程中，所述生长氮化铝晶体的方法能够阻止所述起始衬底的升华，并且能够在提高的生长速度下生长具有良好结晶性的氮化铝晶体。所述生长氮化铝晶体(20)的方法包括下列步骤。首先，设置具有起始衬底(11)、第一层(12)和第二层(13)的层状基板(10)，所述起始衬底(11)具有主面(11a)和背面(11b)，所述第一层(12)设置于所述背面(11b)上，所述第二层(13)设置于所述第一层(12)上。通过气相生长法在所述起始衬底(11)的所述主面(11a)上生长氮化铝晶体(20)。所述第一层(12)由在所述氮化铝晶体(20)的生长温度下升华能力比所述起始衬底(11)低的物质形成。所述第二层(13)由热导率比所述第一层(12)高的物质形成。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化 晶体 方法 制造 | ||
【主权项】：
氮化铝晶体生长方法，所述方法包括：准备具有起始衬底、第一层和第二层的层状基板的步骤，所述起始衬底具有主面和在所述主面相反侧的背面，所述第一层形成于所述背面上，所述第二层形成于所述第一层上；以及通过气相淀积在所述起始衬底的所述主面上生长氮化铝晶体的步骤；其中所述第一层由在所述氮化铝晶体的生长温度下比所述起始衬底难以升华的物质制成；以及所述第二层由热导率比所述第一层高的物质制成。
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