[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 200880012105.1 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101663746A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 野间崎大辅;冈浩二;尾关俊明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H03H11/04;H03L7/093 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体集成电路上搭载多个具有梳状电容(10)的模拟宏，梳状电容(10)具有梳状电极(11)及电极(12)，电极(11)的梳齿部(13)与电极(12)的梳齿部(14)相咬合而形成，结果使得电极(11)的梳齿部(13)与电极(12)的梳齿部(14)交替地平行排列，其梳齿部间隔S按照表示实际电容值与理想电容值之间的误差的绝对精度或它跟与之接近的梳状电容间的电容值之差的相对精度而不同。可提供具有确保高的电容精度的梳状电容的高精度模拟宏，及搭载有高集成模拟宏的半导体集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种搭载多个具有梳状电容的模拟宏的半导体集成电路，其特征在于，所述梳状电容具有梳状的第1电极和第2电极，所述梳状电容是所述第1电极与所述第2电极以所述第1电极的梳齿部和所述第2电极的梳齿部交替地平行排列的方式相咬合而形成，所述梳状电容的梳齿部间隔设定为按照表示该梳状电容的实际电容值与理想电容值之间的误差的绝对精度而不同，所述梳状电容被要求的绝对精度因具有该梳状电容的所述模拟宏的种类而不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
