[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种使用不透明的半导体衬底形成金属反射层的高亮度的半导体光学元件及其制造方法。其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，该GaAs衬底结构具备GaAs层(3)、在GaAs层的表面上配置的第一金属缓冲层(2)、在第一金属缓冲层上配置的第一金属层(1)、在GaAs层的背面配置的第二金属缓冲层(4)和第二金属层(5)，该发光二极管结构配置在GaAs衬底上并具备第三金属层(12)、在第三金属层上配置的金属接触层(11)、在金属接触层上配置的p型包覆层(10)、在p型包覆层上配置的多重量子阱层(9)、在多重量子阱层上配置的n型包覆层(8)、在n型包覆层上配置的窗口层(7)，使用第一金属层(1)及第三金属层(12)，将GaAs衬底结构和发光二极管结构粘贴。

主权项

1、一种半导体发光元件，其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，所述GaAs衬底结构具备：GaAs层、配置在所述GaAs层表面的第一金属缓冲层、配置在所述第一金属缓冲层上的第一金属层、配置在所述GaAs层背面的第二金属缓冲层、配置在所述第二金属缓冲层的与所述GaAs层相反侧表面的第二金属层，所述发光二极管结构配置在所述GaAs衬底结构上，并具备：第三金属层、配置在所述第三金属层上的金属接触层、配置在所述金属接触层上的p型包覆层、配置在所述p型包覆层上的多重量子阱层、配置在所述多重量子阱层上的n型包覆层、配置在所述n型包覆层上的窗口层，使用所述第一金属层及所述第三金属层，将所述GaAs衬底结构和所述发光二极管结构粘贴。