[发明专利]用于晶片无电镀的方法和设备有效
申请号: | 200880012422.3 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101663737A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 威廉·蒂;约翰·M·博迪;弗里茨·C·雷德克;耶兹迪·多尔迪;约翰·帕克斯;蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜;亚历山大·奥夫恰茨;托德·巴力斯基;克林特·托马斯;雅各布·卫理;艾伦·M·舍普 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种半导体晶片无电镀设备包括压板和溶槽。该压板具有限定为支撑晶片的顶部表面,和从该顶部表面的边缘向下延伸至该压板的下表面的外部表面。该溶槽具有由内部表面限定的内部容积,以便在该内部容积内接收该压板和待支撑在其上的晶片。密封件围绕该溶槽的内部表面设置以便当啮合在该溶槽的该内部表面和该压板的该外部表面之间时形成液密密封阻挡。若干流体分配喷嘴设置为在该密封件上方、该溶槽内分配点入溶液,以便升高和淹没该该压板,由此当该晶片存在于该压板上时淹没该晶片。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶片 电镀 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶片无电镀设备,包括:压板,具有限定为支撑晶片的顶部表面,该压板包括从该顶部表面的边缘向下延伸至该压板的下表面的外部表面;溶槽,具有由内部表面限定的内部容积,该溶槽配置为在该内部容积内接收该压板和待支撑在其上的晶片;密封件,围绕该溶槽的内部表面设置以便当啮合在该溶槽的该内部表面和该压板的该外部表面之间时形成液密密封阻挡;和若干流体分配喷嘴,设置为在该密封件上方的若干相应位置在该溶槽内分配电镀溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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