[发明专利]高对比度的透明导体及其形成方法有效
| 申请号： | 200880012849.3 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101971354A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 曼夫莱德·海德克尔;皮埃尔-马克·阿莱曼德;迈克尔·A·斯贝德;代海霞 | 申请（专利权）人： | 凯博瑞奥斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了提高基于传导纳米结构的透明导体的对比度的方法。通过对传导纳米结构进行镀层、然后对下层的传导纳米结构进行蚀刻或氧化的步骤，降低了纳米结构的光散射和反射率，从而明显提高了对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 对比度 透明 导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导体，包括：衬底；以及所述衬底上的传导网络，所述传导网络包括多个金属纳米结构；其中所述透明导体的对比度大于1000。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
