[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200880013119.5 | 申请日： | 2008-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN101663741A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 藤川一洋;原田真 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28;H01L21/337;H01L29/04;H01L29/201;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由六方晶系的SiC构成的衬底被制备成使得其主表面处于在该主表面和与(0001)面垂直的面之间的最小角度为一度以下的方向上，例如，在主表面和与(0001)面垂直的[0001]方向之间的最小角度为一度以下的方向上。在通过前述方法制备的衬底的一个主表面上形成横向半导体器件。因而，可以相对于其中由六方晶系的SiC构成的衬底的主表面处于沿着(0001)方向的方向上的横向半导体器件，可以显著提高击穿电压的值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：(a)衬底，其由六方晶系的碳化硅构成，并且具有相对于与(0001)面垂直的面形成一度以下的最小角度的主表面；(b)半导体层，其布置在所述衬底的一个主表面上；(c)源极区，其形成在所述半导体层的一个表面层中；以及(d)漏极区，其形成在所述半导体层的所述表面层中，与所述源极区隔开一定的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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