[发明专利]微光刻曝光装置中照明掩模的照明系统有效

专利信息
申请号: 200880013453.0 申请日: 2008-04-25
公开(公告)号: CN101669071A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 马库斯·德冈瑟;保罗·格劳普纳;于尔根·费希尔 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT股份公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邱 军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种在微光刻曝光装置(10)中照明掩模的照明系统,其具有光轴(60;460)以及光瞳表面(70;470)。该系统包括诸如镜(Mij)的反射或透明光束偏转元件的光束偏转阵列(46;446)。其中每一偏转元件(Mij)适配成将打入光线以响应于控制信号可变的偏转角偏转。光束偏转元件(Mij)布置在第一平面(40;440)中。该系统还包括具有多个微透镜和/或衍射结构的光学光栅元件(34;434)。布置在第一平面(40;440)中的光束偏转元件(Mij)和布置在第二平面(34;434)中的光学光栅元件(34;434)共同产生两维远场强度分布(C)。光学成像系统(40,41;440,441)光学上共轭第一平面(40;440)到第二平面(34;434)。
搜索关键词: 微光 曝光 装置 照明 系统
【主权项】:
1、一种微光刻曝光装置中照明掩模(16)的照明系统,包括:a)光轴(60;460),b)光瞳表面(70;470),c)反射或透明光束偏转元件(Mij)的光束偏转阵列(46;446),其中-每一个偏转元件(Mij)适配,以将打入光线以响应于控制信号而可变的偏转角偏转,并且其中-偏转元件(Mij)至少大体上布置在第一平面(40;440)中,d)光学光栅元件(34;434),其-包括多个微透镜和/或衍射结构,并且-被布置在第二平面(34;434)中,其中,光束偏转阵列(46;446)以及光学光栅元件(34;434)共同产生两维远场强度分布(C),其特征在于使得第一平面(40;440)与第二平面(34;434)光学共轭的光学成像系统(40,41;440,441)。
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