[发明专利]光电子半导体本体及其制造方法有效
| 申请号： | 200880013521.3 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101681958A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | K·英格尔;P·罗德;L·霍佩尔;M·萨巴蒂尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢 江;李家麟 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种光电子半导体本体，该光电子半导体本体具有：半导体层序列(2)，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层(23)；以及第一和第二电连接层(4，6)，其中该半导体本体被设置用于从正面发射电磁辐射，第一和第二电连接层被布置在与正面对置的背面上，并且借助分离层(5)彼此电绝缘，第一电连接层(4)、第二电连接层(6)和分离层(5)横向重叠，并且第二电连接层(6)的部分区域从背面穿过有源层(23)的贯穿部(3)朝着正面的方向延伸。此外说明了一种用于制造这种光电子半导体本体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 本体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体本体，具有：半导体层序列，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层；以及第一和第二电连接层，其中-半导体本体被设置用于从正面发射电磁辐射，-第一和第二电连接层被布置在与正面对置的背面上，并且借助分离层彼此电绝缘，-第一电连接层、第二电连接层和分离层横向重叠，并且-第二电连接层的部分区域从背面穿过有源层的贯穿部朝着正面的方向延伸。
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