[发明专利]光电二极管及其制作有效
| 申请号： | 200880013595.7 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101669218A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | T·弗拉克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/0224;H01L31/0288;H01L27/144;H01L31/107 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;刘 红 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种光电二极管包括形成在半导体衬底(402)上的阳极(1202，1302，1402)和阴极(1306，1406)。垂直电极(702，1314，1414)与光电二极管的掩埋部件(502，1312，1412)操作性电通信。在一种实施方式中，该光电二极管是硅光电倍增器的雪崩光电二极管。衬底还可以包括集成CMOS读出电路(1102)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 及其 制作 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，包括：阳极(1202，1302，1402)；阴极(1306，1406)；掩埋部件(502，1312，1412)；与所述掩埋部件操作性电通信的垂直电极(702，1314，1414)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
