[发明专利]光检测装置和具备它的显示装置有效
申请号: | 200880013954.9 | 申请日: | 2008-06-12 |
公开(公告)号: | CN101669217A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | C·布朗;加藤浩巳 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30;H01L27/146 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具备它的显示装置。使用具有有源矩阵基板(20)的显示装置,该有源矩阵基板(20)具有:光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置。光检测装置具有设置在基底基板(2)的一个主面上的遮光膜(3)、配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)周边的电极(12)。光电二极管(1)具有硅膜(11),硅膜(11)相对于遮光膜(3)电绝缘。电极(12)相对于遮光膜(3)和硅膜(11)电绝缘。遮光膜(3)被形成为,在基底基板(2)的厚度方向上,其一部分与整个硅膜(11)重叠,这一部分以外的部分与电极(12)重叠。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 具备 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种光检测装置,其特征在于:其包括光透过性的基底基板、设置在所述基底基板的一个主面上的金属膜、配置在所述金属膜的上层的光电二极管、和配置在所述金属膜的上层的所述光电二极管周边的电极,所述光电二极管具备具有半导体区域的硅膜,所述硅膜相对于所述金属膜电绝缘,所述电极相对于所述金属膜和所述硅膜电绝缘,所述金属膜形成为,在所述基底基板的厚度方向上,其一部分与所述硅膜重叠,所述一部分以外的部分与所述电极重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880013954.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的