[发明专利]在氮化铌上包括氧化钽层的构造及装置及其产生方法无效
| 申请号： | 200880014079.6 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101675489A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 维什瓦纳特·巴特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文揭示包括邻近于氮化铌(30)的氧化钽层(50)的方法、构造及装置。在某些实施例中，氮化铌是晶形的且具有六边形密堆积结构。任选地，所述氮化铌可具有表面(35)，所述表面包括邻近于其至少一部分的氧化铌(40)。在某些实施例中，所述氧化钽层是经结晶学取向的且具有六边形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 包括 氧化 构造 装置 及其 产生 方法 | ||
【主权项】：
1、一种构造，其包含：包含氮化铌的电极；及邻近于所述电极的至少一部分的氧化钽层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880014079.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：活化的贱金属催化剂
- 下一篇：用于计量释放刺激物的方法和设备
