[发明专利]钨数字线及形成和操作钨数字线的方法有效
| 申请号： | 200880014551.6 | 申请日： | 2008-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101675514A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 雅耶伯·戈斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;G11C11/404;C23C16/02;C23C16/08;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述用于使用及形成钨数字线的方法、装置及系统。根据本发明实施例所形成的所述钨数字线可用氮化钨(WNx)衬底(402)上的钨(W)单层(404)、所述W单层上的硼(B)单层(308)及所述B单层上的体W层(412)形成。所述体W层具有在100纳米与600纳米之间的颗粒大小。所述数字线可小于50纳米厚。因此，所述数字线的电容及电阻得以减小。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 形成 操作 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于在存储器单元中形成数字线的方法，其包括：在氮化钨(WNX)衬底上形成钨(W)单层；在所述W单层上形成硼(B)单层；及在所述B单层上形成体W层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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