[发明专利]消除半导体材料缺陷的方法无效
| 申请号： | 200880015063.7 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101675179A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·里德·亨利茨 | 申请（专利权）人： | OPC激光系统有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用氦低温保持器，用24小时将衬底晶片的温度降至2.2开尔文。均温段将使衬底晶片的温度在2.2开尔文保持96小时。在该温度，诸如GaAs、InP和GaP等合金将形成偶极分子矩，其在分子键缩短时沿着内磁力线重新对齐。用24小时使衬底晶片的温度斜升至室温。使衬底晶片的温度斜升以确保晶片内出现的温度梯度维持在较低的水平。通常，回火斜升温度介于300℉～1100℉之间并取决于用于构造该衬底晶片的单晶材料。衬底晶片经历回火保持段，其确保整个衬底晶片均具有回火温度的受益。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 半导体材料 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对衬底晶片进行低温处理的方法，所述衬底晶片由取自周期表的III-V族的材料构成，所述方法包括：(a)将衬底晶片的温度降至低温水平，(b)使所述晶片的所述温度保持在所述低温水平，(c)使所述晶片的温度回升至室温，(d)使所述晶片的温度升高至高于室温，(e)使所述晶片的所述温度保持一段时间，(f)使所述晶片的温度返回至所述室温，由此，所述衬底晶片的低温处理用于消除所述衬底晶片的点缺陷、位错缺陷、空位缺陷和其他结晶缺陷。
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