[发明专利]包含可重构电容器单元的直流-直流变换器

摘要

本发明涉及一种可配置沟槽式多电容器件，其包括：半导体基底中的沟槽。所述沟槽具有超过10微米的横向延伸；以及沟槽填充，其包括至少四个导电电容器电极层。开关单元，其包括电连接于沟槽填充的不同电容器电极层之间的多个开关元件；控制单元，其与开关单元连接，并且被配置用于产生并向开关单元提供各控制信号，以通过使用沟槽填充的电容器电极层来形成多个多电容器结构的每一个。

主权项

1.一种直流-直流变换器(100，400，500，600，700，800，900)，其包括：-可重构电容器单元，其具有基底并且包括多个电容结构，每个电容结构包括第一和第二导电的电容器电极层以及中间的电介质层；-开关单元(612)，其包括电连接于不同电容结构之间的多个开关元件(S1至S7)，其中在第一开关状态中，各开关元件被配置为使两个分别的电容器电极层相互电连接，而在第二开关状态中，各开关元件被配置为使所述两个分别的电容器电极层相互断开，所述开关元件具有控制输入端，并且被配置为根据施加到控制输入端的开关控制信号来呈现第一开关状态或第二开关状态；以及-控制单元(614)，其与开关单元连接，并且被配置用于产生并向开关单元提供各控制信号，以使用电容结构来形成多个多电容器结构(400，500，600，700，800，900)中的每一个。