[发明专利]利用丝网印刷的局部背场形成高质量背接触有效
申请号: | 200880015312.2 | 申请日: | 2008-05-06 |
公开(公告)号: | CN101720512A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 阿吉特·罗哈吉;威猜·米蒙空革 | 申请(专利权)人: | 佐治亚科技研究公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了一种薄硅太阳能电池,其包括背面介电钝化层和具有局部背场的背接触。特别地,该太阳能电池可由厚度为50~500微米的结晶硅制成。至少在硅晶片的背表面上涂覆阻挡层和介电层,以在形成背接触时防止硅晶片变形。对介电层形成至少一个开口。在开口中和介电层上形成提供背场的铝接触。可通过丝网印刷具有1~12原子%硅的铝浆料并接着在750℃对其进行热处理来施加铝接触。 | ||
搜索关键词: | 利用 丝网 印刷 局部 形成 质量 接触 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:厚度小于200微米的薄结晶硅晶片,其包含连接至n-区的p-区;连接至所述硅晶片的背表面的第一介电层;连接至所述第一介电层以保护所述介电层的第一阻挡层,其中所述第一阻挡层和所述第一介电层限定通向所述硅晶片的开口,和连接至所述硅晶片、所述第一介电层和所述第一阻挡层以传导电荷的背接触,其中所述背接触包含铝和硅的合金,其中所述合金在所述开口处形成厚度为6~15微米的背场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佐治亚科技研究公司,未经佐治亚科技研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880015312.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种印花机自动吹绒装置
- 下一篇:用于湿式工艺的基板用输送载板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的