[发明专利]利用丝网印刷的局部背场形成高质量背接触有效

专利信息
申请号: 200880015312.2 申请日: 2008-05-06
公开(公告)号: CN101720512A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 阿吉特·罗哈吉;威猜·米蒙空革 申请(专利权)人: 佐治亚科技研究公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;王春伟
地址: 美国佐*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了一种薄硅太阳能电池,其包括背面介电钝化层和具有局部背场的背接触。特别地,该太阳能电池可由厚度为50~500微米的结晶硅制成。至少在硅晶片的背表面上涂覆阻挡层和介电层,以在形成背接触时防止硅晶片变形。对介电层形成至少一个开口。在开口中和介电层上形成提供背场的铝接触。可通过丝网印刷具有1~12原子%硅的铝浆料并接着在750℃对其进行热处理来施加铝接触。
搜索关键词: 利用 丝网 印刷 局部 形成 质量 接触
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:厚度小于200微米的薄结晶硅晶片,其包含连接至n-区的p-区;连接至所述硅晶片的背表面的第一介电层;连接至所述第一介电层以保护所述介电层的第一阻挡层,其中所述第一阻挡层和所述第一介电层限定通向所述硅晶片的开口,和连接至所述硅晶片、所述第一介电层和所述第一阻挡层以传导电荷的背接触,其中所述背接触包含铝和硅的合金,其中所述合金在所述开口处形成厚度为6~15微米的背场。
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