[发明专利]可变电阻元件及其制造方法和非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200880015449.8 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101681913A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 玉井幸夫;岛久;秋永广幸;高野史好;细井康成;粟屋信义;大西茂夫;石原数也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 元件 及其 制造 方法 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻元件，在第一电极和第二电极之间具有金属氧化物层，对应于向所述第一和第二电极间的电应力的施加，所述第一和第二电极间的电阻可逆地变化，该可变电阻元件的特征在于，所述金属氧化物层具有：作为在所述第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝，在所述第一电极和所述第二电极内的至少任一方的特定电极与所述金属氧化物层的界面的、至少包含所述特定电极和所述细丝的界面附近的一部分，具备：界面氧化物，该界面氧化物是作为包含在所述特定电极中的至少一个元素的特定元素的氧化物，与所述金属氧化物层的氧化物不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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