[发明专利]硅锭的制造方法及制造装置无效
申请号: | 200880015497.7 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101680111A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 西尾健一;黑田昭夫;森田一树 | 申请(专利权)人: | MNK-SOG硅公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李 帆 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种可以简化制造工序、而且可以降低所需电功率的新型硅锭制造方法及装置。所述新型硅锭制造方法的特征在于,其包括如下工序:将与硅具有共晶反应、形成硅合金时的共晶点比硅的熔点低的元素和金属硅在坩埚内加热熔化,从而生成合金熔液的工序;在对所述合金熔液利用共晶反应低温凝固精制硅的同时,利用提拉法由所述合金熔液生成硅锭的工序。 | ||
搜索关键词: | 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种硅锭的制造方法,其特征在于,其包括:将与硅具有共晶反应、形成硅合金时的共晶点比硅的熔点低的元素和金属硅在坩埚内加热熔化,从而生成合金熔液的工序;在对所述合金熔液利用共晶反应低温凝固精制硅的同时,利用提拉法由所述合金熔液生成硅锭的工序。
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