[发明专利]生产高纯硅的方法和反应器无效
| 申请号： | 200880015536.3 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101679043A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | C·罗森科尔德 | 申请（专利权）人： | 诺尔斯海德公司 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 柳 冀 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及通过用熔融的Zn金属还原SiCl4生产高纯硅的方法和设备。该方法的特征在于与溶解ZnCl2的熔融盐接触发生所述还原反应。所述还原反应过程中产生的ZnCl2然后溶解在所述熔融盐中而不是蒸发。其优势在于在所述还原反应过程中的气体逸出最小化，导致更高的SiCl4和Zn利用率，并且从而导致更高的Si收率。另一个优势在于所述熔融盐有效地保护了空气敏感物料Zn、SiCl4和Si在还原反应过程中免于氧化。得到的含有ZnCl2的熔融盐可以用于ZnCl2的电解以再次产生所述Zn金属。所述电解过程中释放的氯气可以用来产生SiCl4。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 高纯 方法 反应器 | ||
【主权项】：
1.在反应器(5)中通过液体状态的锌金属(Zn)还原四氯化硅(SiCl4)来间歇或连续生产高纯硅(Si)金属的方法，其特征在于：Zn还原SiCl4发生在反应器(5)中，所述反应器(5)中除Si和Zn以外，还含有熔融盐和溶解在所述盐中的ZnCl2。
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