[发明专利]具有超突变结的结型场效应管有效
| 申请号： | 200880015898.2 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101681934A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | E·E·叶舒恩;J·B·约翰逊;R·A·费尔普斯;R·M·拉塞尔;M·L·齐拉克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种结型场效应管(JFET)(图4)具有超突变结层(54)，其作为结型场效应管的沟道。超突变结层(54)通过两种相反类型的掺杂剂分布(50，52)来形成，使得一种掺杂剂浓度分布在另一掺杂剂分布的尾端具有峰值浓度深度。沟道的电压偏置是由主体(16)所提供，该主体与栅极掺杂有相同类型的掺杂剂。这与常规结型场效应管形成对照，常规JFET中主体具有与栅极掺杂相反导电类型的掺杂剂。通过形成在主体与衬底之间，或形成在主体下的掩埋导体层与衬底之间的另一反偏结(图8，16与110)，主体(16)可与衬底电解耦(图4，10与30)。形成薄超突变结层(54)的能力容许在绝缘体上半导体衬底中形成结型场效应管(图11，210，230)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 突变 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一导电类型的栅极，其中所述栅极直接位于半导体衬底的顶表面之下；第二导电类型的源极，其中所述源极直接位于所述顶表面之下，且邻接所述栅极，并且所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；所述第二导电类型的漏极，其中所述漏极直接位于所述顶表面之下、邻接所述栅极、且与所述源极分开；所述第二导电类型的超突变结层，其中所述超突变结层直接位于所述栅极、所述源极、以及所述漏极之下；以及所述第一导电类型的主体，其中所述主体直接位于所述超突变结层之下，且与所述栅极、所述源极、以及所述漏极分开。
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