[发明专利]对电连接中具有高迁移率的组分的束缚有效
申请号: | 200880016621.1 | 申请日: | 2008-06-05 |
公开(公告)号: | CN101681853A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 约翰·特雷扎 | 申请(专利权)人: | 丘费尔资产股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;B23K35/30;H01L21/98 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 傅强国 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种制造电触点的方法,涉及:在电连接的位置设置阻隔材料,在阻隔材料上设置导电的接合金属,导电的接合金属具有扩散的可动成分,选择阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积,使得阻隔材料的体积至少是阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积的组合体积的20%。电连接在两个触点之间具有导电的接合金属,设置于导电的接合金属至少一侧的阻隔材料,以及位于在阻隔材料和导电的接合金属之间的交界面的合金。合金包括至少一些阻隔材料,至少一些接合金属和可动材料。 | ||
搜索关键词: | 连接 具有 迁移率 组分 束缚 | ||
【主权项】:
1.一种制造电触点的方法,其特征在于,包含:在电连接的位置设置阻隔材料;在所述阻隔材料上设置导电的接合金属,所述导电的接合金属包含扩散的可动成分,选择阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积,使得所述阻隔材料的体积至少是所述阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积的组合体积的20%;以及将所述导电的接合金属联接至包含相容的导电的接合金属的另一个触点以形成所述电连接,其中所述扩散的可动成分的实质部分将与所述阻隔材料结合在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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