[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200880016875.3 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101689584A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 酒井士郎;直井美贵 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司;德岛大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造发光二极管的方法，该方法包括以下步骤：在基底上形成化合物半导体层，所述化合物半导体层包括下半导体层、有源层和上半导体层；通过用研磨剂摩擦所述基底来刮擦所述基底的表面。根据本发明，使用所述研磨剂来摩擦并刮擦发光二极管的表面，由此可以使得从所述有源层发射的光有效地出射到外面。因此，可以提高发光二极管的光出射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：在基底上形成化合物半导体层，所述化合物半导体层包括下半导体层、有源层和上半导体层；通过用研磨剂摩擦所述基底来刮擦所述基底的表面。
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