[发明专利]氮化硼和氮化硼导出材料的沉积方法有效
| 申请号： | 200880016970.3 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101690420B | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | J-u·许;M·巴尔塞努;夏立群;V·T·恩古耶;D·R·威蒂;H·M'塞德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H05H1/24;C01B21/064 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 导出 材料 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种形成氮化硼薄膜的方法，包括：将一含硼前体导入一腔室中；在存在有等离子的情形下由该含硼前体而在该腔室中的一基板上沉积一含硼薄膜；在沉积该含硼薄膜后，在第一等离子处理中使用含氮前体处理该含硼薄膜以在该薄膜中并入氮，并形成氮化硼薄膜；以及重复所述导入、所述沉积及所述处理步骤，直到获得具有一期望厚度的该氮化硼薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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