[发明专利]制备和使用卤代甲硅烷基锗烷的新方法无效
| 申请号： | 200880017145.5 | 申请日： | 2008-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101678665A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | J·库维塔奇斯;J·泰斯;Y·方 | 申请（专利权）人： | 代表亚利桑那州立大学行事的亚利桑那董事会 |
| 主分类号： | B32B33/00 | 分类号： | B32B33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供分子式SixGeyHz-aXa的化合物和制备该化合物的方法，其中X为卤素，x、y、z和a在本文中定义，以及使用本发明的化合物在硅衬底上沉积高Ge含量Si膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 使用 卤代甲 硅烷 基锗烷 新方法 | ||
【主权项】：
1.式(I)的化合物的制备方法，SixGeyHz-aXa(I)其中x为1、2、3或4；y为1、2、3或4，z为2(x+y+1)；a为1至z；以及X为卤素，条件是x与y之和小于或等于5，所述方法包括步骤：(i)在约-80℃至约25℃的温度下，用式BX3、AlX3的化合物、或者金属氯化剂处理分子式SixGeyHz的化合物。
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