[发明专利]研磨的硅烷化气相法二氧化硅有效
| 申请号： | 200880017153.X | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101679774A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | J·迈尔;A·戈巴斯柴克;G·米夏埃多;V·瓦尔特 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限责任公司 |
| 主分类号： | C09C1/30 | 分类号： | C09C1/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于 辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及通过研磨由于硅烷化而在表面上固定有辛基甲硅烷基的气相法二氧化硅获得的疏水性气相法二氧化硅、其制备方法和含有这种二氧化硅的涂料制剂。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 硅烷 化气相法 二氧化硅 | ||
【主权项】：
1.疏水性气相法二氧化硅，其是通过研磨由于硅烷化而在表面上固定有辛基甲硅烷基的气相法二氧化硅得到的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赢创德固赛有限责任公司，未经赢创德固赛有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880017153.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
