[发明专利]用于薄膜钝化的双靶溅射系统及用该系统形成薄膜的方法有效
申请号: | 200880017658.6 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101681816A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 李相铉;柳道铉 | 申请(专利权)人: | 塔工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种用于薄膜钝化的双靶溅射系统以及一种利用该系统形成薄膜的方法,该系统在彼此相对且相同形状的靶之间产生高密度等离子,从而以高速形成薄膜。用于薄膜钝化的该双靶溅射系统包括:真空室;基底支承件,在真空室内支承基底;一对溅射枪,均朝向基底并包括向一侧或相对两侧打开的轭板以及以规则间隔布置在轭板上的多个磁体;靶,分别安装在一对轭板上;枪支承件,支承一对溅射枪;以及电源,向靶提供电流,其中多个磁体中的每个均包括上部和下部,上部和下部形成一体且磁极彼此不同,多个磁体排列成一行,并且其中,枪支承件或基底支承件可在室中移动。通过使用用于薄膜钝化的双靶溅射系统以及利用该系统形成薄膜的方法,可通过简单的薄膜工艺制造有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT),而无需使用现有的金属罐或玻璃基底的封装过程,因此简化了过程并降低了制造OLED的初期投资成本。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 钝化 溅射 系统 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于薄膜钝化的双靶溅射系统,包括:真空室;基底支承件,在所述真空室内支承基底;一对溅射枪,每个溅射枪均朝向所述基底,并包括向一侧或相对两侧打开的轭板以及以规则间隔布置在所述轭板上的多个磁体;靶,分别安装在一对所述轭板上;枪支承件,支承所述一对溅射枪;以及电源,向所述靶提供电流,其中,所述多个磁体中的每个均包括上部和下部,所述上部和下部形成一体并且磁极彼此不同,并且所述多个磁体排成一行,并且其中,所述枪支承件或所述基底支承件在所述室内可移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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