[发明专利]高效率太阳能电池、其制造方法和制造设备有效
| 申请号： | 200880017871.7 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101681945A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 金宰湖 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种太阳能电池的制造方法，包括：在透明基底上依序形成第一电极与第一杂质掺杂半导体层；在所述第一杂质掺杂半导体层上形成第一本征半导体层；加热所述第一本征半导体层，以形成第二本征半导体层；及在所述第二本征半导体层上依序形成第二杂质掺杂半导体层与第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 太阳能电池 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，其包括：在透明基底上依序形成第一电极与第一杂质掺杂半导体层；在所述第一杂质掺杂半导体层上形成第一本征半导体层；加热所述第一本征半导体层，以形成第二本征半导体层；及在所述第二本征半导体层上依序形成第二杂质掺杂半导体层与第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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