[发明专利]在间距加倍工艺期间隔离阵列特征的方法和具有经隔离阵列特征的半导体装置结构有效
| 申请号： | 200880018082.5 | 申请日： | 2008-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101681811A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 亚当·L·奥尔森 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供在间距减小工艺期间隔离形成于阵列中的特征之间的空间的方法和具有所述方法的半导体装置结构。在一个实施例中，所述特征的末端比所述特征的中部区宽。在所述间距减小工艺期间，形成于所述特征的邻近末端之间的间隔物侧壁彼此实质上实质上接触，从而隔离所述特征之间的所述空间。在另一实施例中，所述特征具有单个宽度，且额外特征位于所述特征的末端附近。形成于邻近特征之间的间隔物侧壁与所述额外特征彼此实质上实质上接触，从而隔离所述特征之间的所述空间。 | ||
| 搜索关键词： | 间距 加倍 工艺 期间 隔离 阵列 特征 方法 具有 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造方法，其包括：在衬底上形成多个特征，所述多个特征中的每一特征包括具有第一宽度的中部区以及至少一个具有第二宽度的末端；以及在所述多个特征中的每一特征上形成间隔物侧壁，所述间隔物侧壁在所述多个特征的所述至少一个末端处彼此实质上接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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