[发明专利]用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法有效
申请号: | 200880018349.0 | 申请日: | 2008-06-03 |
公开(公告)号: | CN101681093A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 叶军;曹宇;冯函英 | 申请(专利权)人: | 睿初科技公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开一种用以产生有效的基于模型的亚分辨辅助特征(MB-SRAF)的方法。产生SRAF引导图,其中每个设计目标边缘位置为给定场点表决有关布置在该场点上的单像素SRAF将改善还是弱化整个过程窗口的空间图像。在一个实施例中,SRAF引导图被用于确定SRAF布置规则和/或用于微调已经布置的SRAFs。SRAF引导图可以直接用于在掩模布局中布置SRAFs。可以产生包括SRAFs的掩模布局数据,其中根据SRAFs引导图布置SRAFs。SRAF引导图可以包括这样的图像:即,在所述图像中如果像素被包括作为亚分辨辅助特征的一部分,每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的边缘行为提供正面贡献。 | ||
搜索关键词: | 用于 实施 基于 模型 光刻 引导 布局 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在掩模布局中布置亚分辨辅助特征(“SRAF”)的方法,包括步骤:产生用于所述掩模布局的SRAF引导图,其中所述SRAF引导图是这样的图像:即,在所述图像中如果所述像素被包括作为亚分辨辅助特征的一部分,则每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的边缘行为提供正面贡献;和根据所述SRAF引导图在所述掩模布局中布置亚分辨辅助特征。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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