[发明专利]通过向清洁溶液施加周期性的切变应力清洁半导体晶片表面的方法有效
| 申请号： | 200880018416.9 | 申请日： | 2008-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101711423A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·M·弗里尔;约翰·M·德拉里奥斯;迈克尔·拉夫金;米哈伊尔·科罗利克;弗里茨·C·雷德克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于清洁粘着于晶片表面的微粒污染物的系统和方法。包括悬浮于清洁剂中的分散的耦合组分的清洁剂被施加到晶片表面上。外部能量被施加到该清洁剂以在该清洁剂内产生周期性的切变应力。该周期性的切变应力在该耦合组分上施加力，使得该耦合组分与该微粒污染物互相作用以从该晶片表面除去该微粒污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 清洁 溶液 施加 周期性 切变 应力 半导体 晶片 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种清洁方法，包含：提供具有表面的晶片，该表面上有微粒；在该表面上提供清洁剂，该清洁剂包括悬浮于其中的一个或多个分散的耦合组分；以及向该清洁剂施加外部能量，该向该清洁剂施加外部能量在该清洁剂内产生周期性的切变应力，其中该周期性的切变应力对该一个或多个该耦合组分中的至少一个施加一个力，该力使得该一个或多个该耦合组分中的该至少一个与该微粒相互作用以从该表面除去该微粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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