[发明专利]在非平面表面上沉积材料的方法无效
| 申请号： | 200880018655.4 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101681844A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 拉特逊·莫拉德 | 申请（专利权）人： | 索林塔有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;C25B9/00;C25D17/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 武晶晶;郑 霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将材料沉积至非平面表面上的方法。该方法通过在非平面衬底沿着加工腔的平移路径移动时旋转该非平面衬底来实施。在非平面衬底沿加工腔旋转并同时移动时，该旋转将该非平面衬底的全部表面区域或任意期望的表面区域部分暴露于沉积加工，从而实现所需的均匀沉积。或者，任意预定的样本均可暴露至非平面衬底的表面上。这种方法可以制造非平面半导体装置，包括但不限于非平面发光二极管、非平面光伏电池等。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 表面上 沉积 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种将半导体加工到衬底上的方法，该方法包括：a.提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个衬底穿过；b.使所述至少一个衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔；c.当所述至少一个衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔时旋转所述衬底；以及d.当所述至少一个衬底沿所述平移路径旋转的同时在所述至少一个衬底上进行半导体加工，从而使所述至少一个衬底的至少一部分表面区域暴露于所述半导体加工。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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