[发明专利]氢传感器有效

专利信息
申请号: 200880018905.4 申请日: 2008-05-28
公开(公告)号: CN101680863A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 内山直树;吉村和记 申请(专利权)人: 株式会社渥美精机;独立行政法人产业技术总合研究所
主分类号: G01N31/00 分类号: G01N31/00;G01N21/77;G01N31/10;G01N31/22
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种氢传感器。在氢传感器(10a、10b、10c、10d)中,薄膜层(12)形成在基板(11)上,缓冲层(13)层积在薄膜层(12)上。并且,一旦与氢气接触就使薄膜层(12)氢化并使薄膜层(12)的光学反射率变化的催化剂层(14)层积在缓冲层(13)上。从薄膜层(12)向催化剂层(14)扩散的成分与从缓冲层(13)向催化剂层(14)扩散的成分结合,从而防止催化剂层(14)的氧化。其结果是,防止随着薄膜层(12)的反复氢化而产生的催化剂层(14)等的氧化,并抑制氢传感器(10a、10b、10c、10d)的氢检测灵敏度的降低。
搜索关键词: 传感器
【主权项】:
1、一种氢传感器,其特征在于,包括,基板;在所述基板上形成的薄膜层;在所述薄膜层上层积的缓冲层;在所述缓冲层上层积,且一旦与空气中含有的氢气接触就将所述薄膜层氢化并使所述薄膜层的光学反射率变化的催化剂层;所述缓冲层具有通过与从所述薄膜层向所述催化剂层扩散的所述薄膜层的成分结合抑制所述催化剂层的氧化的成分。
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