[发明专利]光催化剂材料及其生产方法、以及使用该材料的污染物质分解方法有效

专利信息
申请号: 200880019134.0 申请日: 2008-06-04
公开(公告)号: CN101678346A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 桥本和仁;入江宽;中村龙平;三浦脩平 申请(专利权)人: 国立大学法人东京大学
主分类号: B01J35/02 分类号: B01J35/02;B01J37/04;B01J37/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种能够以低成本且不使用铂而获得的光催化剂材料、特别是可见光响应型光催化剂材料,以及提供:具有传统光催化剂材料所没有的光催化机理的材料、该材料的生产方法、使用该材料的污染物质的分解方法。所述光催化剂材料具有a)第1金属的氧化物和b)第2金属的水络盐;且所述材料中,所述第1金属的氧化物中导带下端的氧化还原电位比0.2V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,所述第2金属的水络盐中第2金属的离子的氧化还原电位比3.0V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,在所述材料中,所述第2金属的水络盐化学吸附在所述第1金属的氧化物上。
搜索关键词: 光催化剂 材料 及其 生产 方法 以及 使用 污染 物质 分解
【主权项】:
1.一种光催化剂材料,其具有:a)第1金属的氧化物,以及b)第2金属的水络盐;上述材料中,就所述第1金属的氧化物而言,该氧化物的导带下端的氧化还原电位比0.2V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,就所述第2金属的水络盐而言,该水络盐中的第2金属的离子的氧化还原电位比3.0V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,在所述材料中,所述第2金属的水络盐化学吸附在所述第1金属的氧化物上。
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