[发明专利]放射性同位素制造装置及放射性同位素的制造方法有效
| 申请号： | 200880019360.9 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101681689A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 小笠原毅;矢岛晓;佐野正美 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | G21G1/10 | 分类号： | G21G1/10;G01T1/161;G21K5/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明能够兼顾提高靶的耐压性和提高靶液的冷却效果，充分抑制靶液的沸腾。放射性同位素制造装置具备：照射放射线的回旋加速器、具有收容靶液(L)的收容凹部(40)的靶(20)。收容凹部(40)包括：用于导入从回旋加速器照射的放射线的开口部(44)；朝向离开开口部(44)的方向凹陷，以具有顶部(58)的球面状的底面(48)。靶(20)配置成从回旋加速器照射的放射线的照射轴(X)和底面(48)之间的相交位置在顶部(58)的正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 放射性同位素 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种放射性同位素制造装置，用于通过靶液和放射线之间的核反应制造放射性同位素，其特征在于，具备：放射线源，照射放射线；以及靶，具有收容上述靶液的收容凹部；上述收容凹部包括：用于导入从上述放射线源照射的放射线的开口；朝向离开上述开口的方向凹陷以具有顶部的凹曲面；上述靶配置成从上述放射线源照射的放射线的照射轴和上述凹曲面之间的相交位置在上述顶部的下侧。
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