[发明专利]形成于较大透镜阵列上的用于对像素群组内经移位的光电二极管位置进行调整的微透镜无效
| 申请号： | 200880019374.0 | 申请日： | 2008-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101681916A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李进;乌尔里希·C·伯蒂格 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G02B3/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种透镜(130)，所述透镜经形成以支撑形成于所述透镜上的至少一个微透镜(140)并使其倾斜。可基于所需的聚焦特性控制所述微透镜的斜坡的度数及方向以向或从像素阵列中的像素引导光。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 较大 透镜 阵列 用于 像素 内经 移位 光电二极管 位置 进行 调整 | ||
【主权项】：
1、一种微透镜结构，其包括：第一透镜，其由像素阵列的一部分支撑，所述透镜的上表面具有相对于所述部分的上表面的斜坡；及至少一个微透镜，其由所述第一透镜支撑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
