[发明专利]有机EL器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200880019630.6 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101836502A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 内海诚 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/04 | 分类号： | H05B33/04;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供能够长期维持优异的发光效率的有机EL器件及其制造方法，特别是顶部发射型有机EL器件及其制造方法。本发明的有机EL器件包括基板和在基板上形成的有机EL元件，其特征在于：有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，保护层由1个或多个无机膜构成，1个或多个无机膜中的至少1个是SiN:H膜，通过红外吸收光谱测定求出的SiN:H膜中的N-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.06且为0.1以下、并且Si-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.12且为0.17以下。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机EL器件，其包括基板和在所述基板上形成的有机EL元件，其特征在于：所述有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，所述保护层由1个或多个无机膜构成，所述1个或多个无机膜中的至少1个是含氢的氮化硅膜，通过红外吸收光谱测定求出的所述含氢的氮化硅膜中的N-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.06且为0.1以下、并且Si-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.12且为0.17以下。
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