[发明专利]半导体晶片磨削方法和在其中使用的树脂组合物以及保护片有效
申请号: | 200880019656.0 | 申请日: | 2008-06-18 |
公开(公告)号: | CN101681823A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 九津见正信;金井朋之 | 申请(专利权)人: | 电气化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/304 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 苗 堃;陈剑华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种对在电路面具有30μm以上的大凹凸的半导体晶片的背面进行磨削的方法。该半导体晶片的磨削方法的特征在于,在半导体晶片的电路面侧,隔着能够从所述半导体晶片剥离的树脂层设置保护片或固定用夹具,对所述半导体晶片的背面进行磨削。所述半导体晶片磨削方法优选在半导体晶片的电路面侧,形成深度比晶片厚度小的槽,在整个面涂布形成树脂层的树脂组合物,对晶片背面进行磨削,分割成单个芯片。所述半导体晶片磨削方法更优选在对半导体晶片的背面进行了磨削之后,将树脂层加热而除去。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 磨削 方法 其中 使用 树脂 组合 以及 保护 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶片磨削方法,其特征在于,在半导体晶片的电路面侧,隔着能够从所述半导体晶片剥离的树脂层设置保护片或固定用夹具,对所述半导体晶片的背面进行磨削。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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