[发明专利]磁性器件的制造方法和制造装置、以及磁性器件有效
申请号: | 200880019704.6 | 申请日: | 2008-05-28 |
公开(公告)号: | CN101689601A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 今北健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;G11B5/39;H01F41/18;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种增大单方向各向异性常数(JK)的磁性器件制造装置。基底(S)放置在成膜区域(21a)中的基底架(24)上,将基底(S)加热至预定温度,并且将处理压力减小至小于等于1.0(Pa)。使用Kr和Xe中的至少一种对主要成分为形成反铁磁层之元素的靶进行溅射以形成反铁磁层。所述反铁磁层包括由组成式Mn100-X-MX(M为Ru、Rh、Ir及Pt中的至少一种,X的取值范围为20(原子%)≤X≤30(原子%))表示的L12有序相。 | ||
搜索关键词: | 磁性 器件 制造 方法 装置 以及 | ||
【主权项】:
1、一种磁性器件的制造方法,其通过在基底上形成包括由组成式Mn100-X-MX(M为Ru、Rh、Ir及Pt中的至少一种,X的取值范围为20(原子%)≤X≤30(原子%))表示的L12有序相的反铁磁层而制造磁性器件,所述磁性器件制造方法包括:将所述基底放置在成膜室中;将所述基底加热至预定温度;将所述成膜室的压力减小至小于等于0.1(Pa);且在已减压的所述成膜室中,通过使用Kr和Xe中的至少一种对主要成分为形成所述反铁磁层之元素的靶进行溅射,从而在所述基底上形成所述反铁磁层。
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