[发明专利]用半导体制备薄片或薄膜的方法和装置无效
| 申请号： | 200880020446.3 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101765487A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多佛·艾西尔 | 申请（专利权）人： | 克里斯多佛·艾西尔 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 德国蒂*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用半导体(1)制备薄片或薄膜的方法和装置。为此，有利于用激光器作为切割工具(2)，其激光束用合适的光学元件例如圆柱透镜这样聚焦，使其不产生点状强度分布而是产生线状强度分布来切割半导体薄膜(3)。此外，多个线状强度分布适合这样排列，即在半导体(1)的整个宽度上产生一条切割线。这样，整个切割线可准连续地(以激光器的重复率)进行切割。其中，面向半导体(1)的聚焦激光束的边缘激光束最好平行于半导体(1)边缘延伸。在面向半导体薄膜(3)的一侧上，边缘激光束在切割工具(2)的尖刃附近跟踪半导体薄膜(3)的曲率半径，并随着离焦点(切割工具2的尖刃)的距离的不断增加而产生扩大的缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制备 薄片 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
用切割工具切割半导体制备半导体薄膜尤其是硅薄膜的方法以下列工序为其特征：a.准备好半导体(1、11)；b.切割工具(2)接触半导体(1、11)；c.在半导体(1、11)和切割工具(2)之间进行相对运动，以便从半导体(1、11)连续切割半导体薄膜(3、31、32)；d.把已自由切割的半导体薄膜(3、31、32)的部分(8)从半导体(1、11)叉开，e.必要时支撑切割的半导体薄膜(3、31、32)的已自由切割的部分(8)；f.取下半导体薄膜的完全切割的部分并将其送到后续处理站或仓库。
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