[发明专利]在非易失性存储器中的读取操作期间减小功耗有效
| 申请号： | 200880020461.8 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101779247A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 迪帕克·C·塞卡;尼马·莫克莱西;霍克·C·索 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/04;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在读取操作期间提供在未选择字线上的减小的读行程电压，来减小在非易失性存储设备中的功耗。检查其上的存储元件正被读取的所选字线之后的一个或多个未选择字线的编程状态，来确定这些未选择字线是否包括了编程的存储元件。当标识了未编程的字线时，在该字线和按编程顺序在该字线之后的其它字线上提供减小的读行程电压。可以由在例如字线中存储的标记，或通过读处于最低读状态的字线，来确定编程状态。可以在一组字线中预先确定，或基于所选字线的位置来适应地确定被检查的未选择字线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 中的 读取 操作 期间 减小 功耗 | ||
【主权项】：
一种用于操作非易失性存储器的方法，包括：连同对与第一字线相关的至少一个非易失性存储元件进行感测操作，确定是否存在与处于编程状态的第二字线相关的至少一个非易失性存储元件；当所述确定过程确定了存在与处于编程状态的第二字线相关的至少一个非易失性存储元件时，在进行所述感测操作的同时向所述第二字线施加第一电压；以及当所述确定过程确定了不存在与处于编程状态的第二字线相关的至少一个非易失性存储元件时，在进行所述感测操作的同时向所述第二字线施加第二电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克公司，未经桑迪士克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880020461.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
