[发明专利]对单晶体进行晶体再取向的方法有效

专利信息
申请号: 200880020569.7 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101743092A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: B·V·塔尼凯拉;C·阿科纳;D·I·金德汉;C·D·琼斯;M·A·辛普森 申请(专利权)人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
主分类号: B24B7/22 分类号: B24B7/22;B24B49/12;B28D5/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭辉
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在此披露了改变一个单晶体的晶体取向的一种方法,该方法包括以下步骤:表征该单晶体的一个晶体取向并且计算一个取向偏离角,该取向偏离角是在该单晶体的一个选定的晶体方向与沿着该单晶体的一个第一外部主表面的平面的晶体方向的一个投影之间。该方法进一步包括从该第一外部主表面的至少一部分上除去材料以改变该取向偏离角。
搜索关键词: 单晶体 进行 晶体 再取 方法
【主权项】:
一种改变一个单晶体的晶体取向的方法,包括:表征该单晶体的一个晶体取向;计算在该单晶体的一个选择的晶体方向与沿该单晶体的一个第一外部主表面的平面的晶体方向的一个投影之间的一个取向偏离角;并且从该第一外部主表面的至少一部分上去除材料以改变该取向偏离角。
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