[发明专利]用于提高产量和减少晶片损坏的基座无效

专利信息
申请号: 200880020775.8 申请日: 2008-06-18
公开(公告)号: CN101772836A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 滨野学;S·科穆;J·A·皮特尼;T·A·托拉克;L·G·赫尔维格 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 吴鹏;牛晓玲
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种基座,用于在具有内部空间的加热室中支承半导体晶片。基座包括主体,该主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面。基座还具有凹槽,该凹槽沿着假想的中心轴线从上表面向下延伸到主体内。凹槽加工成一定尺寸和形状,用于在其中容纳半导体晶片。基座包括多个升降销开口,该升降销开口从凹槽贯穿主体到下表面。每个升降销开口都加工成一定尺寸,用于接纳升降销,以便相对于凹槽选择性地升起和降下晶片。基座具有中心开口,该中心开口从凹槽到下表面沿着中心轴线贯穿主体。
搜索关键词: 用于 提高 产量 减少 晶片 损坏 基座
【主权项】:
一种基座,用于在具有内部空间的加热室中支承半导体晶片,该晶片具有正面、与所述正面相对的背面及围绕所述正面和背面延伸的圆周侧面,该基座的尺寸和形状构造成用于被接纳在该室的内部空间内和用于支承半导体晶片,该基座包括:主体,该主体具有上表面和与该上表面相对的下表面;凹槽,该凹槽沿着假想的中心轴线从所述上表面向下延伸到所述主体内,所述凹槽的尺寸和形状构造成用于在其中容纳半导体晶片;多个升降销开口,该开口从所述凹槽到下表面贯穿主体,所述多个升降销开口的每一个的尺寸都构造成用于接纳升降销以便相对于所述凹槽选择性地升起和降下晶片;和中心开口,该中心开口沿着所述中心轴线从所述凹槽到下表面贯穿主体。
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