[发明专利]用于提高产量和减少晶片损坏的基座无效
申请号: | 200880020775.8 | 申请日: | 2008-06-18 |
公开(公告)号: | CN101772836A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 滨野学;S·科穆;J·A·皮特尼;T·A·托拉克;L·G·赫尔维格 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 吴鹏;牛晓玲 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种基座,用于在具有内部空间的加热室中支承半导体晶片。基座包括主体,该主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面。基座还具有凹槽,该凹槽沿着假想的中心轴线从上表面向下延伸到主体内。凹槽加工成一定尺寸和形状,用于在其中容纳半导体晶片。基座包括多个升降销开口,该升降销开口从凹槽贯穿主体到下表面。每个升降销开口都加工成一定尺寸,用于接纳升降销,以便相对于凹槽选择性地升起和降下晶片。基座具有中心开口,该中心开口从凹槽到下表面沿着中心轴线贯穿主体。 | ||
搜索关键词: | 用于 提高 产量 减少 晶片 损坏 基座 | ||
【主权项】:
一种基座,用于在具有内部空间的加热室中支承半导体晶片,该晶片具有正面、与所述正面相对的背面及围绕所述正面和背面延伸的圆周侧面,该基座的尺寸和形状构造成用于被接纳在该室的内部空间内和用于支承半导体晶片,该基座包括:主体,该主体具有上表面和与该上表面相对的下表面;凹槽,该凹槽沿着假想的中心轴线从所述上表面向下延伸到所述主体内,所述凹槽的尺寸和形状构造成用于在其中容纳半导体晶片;多个升降销开口,该开口从所述凹槽到下表面贯穿主体,所述多个升降销开口的每一个的尺寸都构造成用于接纳升降销以便相对于所述凹槽选择性地升起和降下晶片;和中心开口,该中心开口沿着所述中心轴线从所述凹槽到下表面贯穿主体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造