[发明专利]具有次表面二极管的集成电路无效
申请号: | 200880020977.2 | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101681910A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | M·D·丘奇;A·寇尼斯基;L·G·皮尔斯;M·R·杰恩;T·A·裘川 | 申请(专利权)人: | 英特赛尔美国股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L27/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李 玲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路包括并联的第一和第二二极管。第一二极管具有第一击穿电压,且具有在基片的表面处彼此毗邻的第一P型区和第一N型区,以形成横向二极管。第二二极管具有低于第一击穿电压的第二击穿电压,且具有在基片中彼此横向毗邻的第二P型区和第二N型区,以在表面以下形成横向二极管。第一和第二N型区交迭,而且第一和第二P型区电连接,藉此所述第一和第二二极管并联。 | ||
搜索关键词: | 具有 表面 二极管 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:具有表面的基片;具有第一击穿电压的第一二极管,所述第一二极管具有在所述基片的所述表面处彼此毗邻的第一P型区和第一N型区以形成横向二极管;具有低于所述第一击穿电压的第二击穿电压的第二二极管,所述第二二极管具有在所述基片中彼此横向毗邻的第二P型区和第二N型区以在所述表面以下形成横向二极管;以及所述第一和第二N型区交迭,而且所述第一和第二P型区电连接,藉此所述第一和第二二极管并联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特赛尔美国股份有限公司,未经英特赛尔美国股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880020977.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:HIP节点可到达性
- 下一篇:具有冷起动功能的电动工具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的