[发明专利]SOI芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200880021034.1 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101689478A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 横川功;能登宣彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种SOI芯片的制造方法，针对在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层的整个面上，形成硅外延层的步骤(f)，其特征在于：将氯化氢气体混入反应气体中。借此，提供一种SOI芯片的制造方法，能简单地在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层上，使硅外延层成长，并能抑制制造出来的SOI芯片发生翘曲；又，即便是在元件制造等的这类的后续步骤中，也能降低微粒的发生，进而能谋求削减制造SOI芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | soi 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI芯片的制造方法，是至少具有形成硅外延层的步骤，而在平台部具有氧化膜的SOI芯片的SOI层的整个面上，形成硅外延层，该SOI芯片的制造方法的特征在于：将氯化氢气体混入用以形成前述硅外延层时的反应气体中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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