[发明专利]电子元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880021054.9 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101689603A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 雷德弗尔道斯·胡尔库思 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电子元件(100)，包括一第一电极(101)、一第二电极(102)、以及一转换结构(103)，该转换结构电性耦接在上述第一电极(101)和上述第二电极(102)之间，并可经由加热方式在至少两个状态之间转换，且在至少两个状态中的不同状态具有不同的电特性，其中上述转换结构(103)包括分别连接至上述第一电极(101)和上述第二电极(102)的末端部分(104、105)，以及包括介于上述末端部分(104、105)之间的一线部分(106)，上述线部分(106)具有一较上述末端部分(104、105)小的宽度或厚度，以及其中上述转换结构(103)依据上述第一电极(101)和上述第二电极(102)设置，以便在上述至少两个状态的一个状态中，上述线部分(106)具有仅沿上述线部分(106)的一部分延伸的一非晶点(107)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件(100)，该电子元件(100)包括：一第一电极(101)；一第二电极(102)；一转换结构(103)，电性耦接于该第一电极(101)和该第二电极(102)之间，该转换结构经由加热方式在至少两个状态之间转换，且该转换结构在至少两个状态中的不同状态具有不同的电特性；其中该转换结构(103)包括分别连接至该第一电极(101)和该第二电极(102)的末端部分(104，105)，以及包括介于该末端部分(104，105)之间的一线部分(106)，该线部分(106)具有一较该末端部分(104，105)小的厚度；其中该转换结构(103)依据该第一电极(101)和该第二电极(102)设置，以便在该至少两个状态其中的一个状态中，该线部分(106)具有仅沿该线部分(106)的一部分延伸的一非晶点(107)。
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