[发明专利]在热成形聚合物基底上形成薄膜电子器件的设备及方法无效
| 申请号： | 200880021410.7 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101755492A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·K·纳尔逊;戴维·L·菲利普斯;唐纳德·J·穆克卢尔;丹尼尔·H·卡尔森;詹姆斯·N·多布斯;斯科特·M·施诺布利希;丹尼尔·J·泰斯 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在聚合物基底上制作电子器件的设备及方法，用于在位置方面把聚合物基底约束在台板上，并且把被约束的聚合物基底加热到至少为聚合物基底的玻璃化转变温度。把热处理型油墨涂敷到被约束的聚合物基底上，从而在其上形成电子器件层的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 成形 聚合物 基底 形成 薄膜 电子器件 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在位置方面把聚合物基底约束在台板上；把被约束的聚合物基底加热到至少为所述聚合物基底的玻璃化转变温度；以及把热处理型油墨涂敷到被约束的聚合物基底上，从而在其上形成电子器件层的至少一部分。
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