[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 200880021671.9 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101689591A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·格勒奇;诺贝特·林德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 炜;许伟群 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出了一种光电子半导体芯片(1)，其具有：辐射穿通面(3)；接触金属化物(2a)，其被施加到辐射穿通面(3)上，以及第一反射性层序列(2b)，其被施加到接触金属化物(2a)的背离辐射穿通面(3)的表面上。此外，本发明还提出了一种带有这种芯片的光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：-辐射穿通面(3)，-接触金属化物(2a)，其被施加到辐射穿通面(3)上，以及-第一反射性层序列(2b)，其被施加到接触金属化物(2a)的背离辐射穿通面(3)的表面上，其中反射性层序列(2b)设计用于对朝着接触金属化物(2a)向回反射的电磁辐射进行反射。
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