[发明专利]制备太阳能级硅和光电池的方法无效
| 申请号： | 200880021767.5 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101687649A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | T·F·麦努蒂;J·T·勒曼;L·N·路易斯;M·P·德'伊维恩;V·L·劳;R·舒巴 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种制造高纯度元素硅的方法。该方法包括如下来制备硅胶组合物的步骤：将至少一种有机硅烷化合物与含水组合物进行反应，来形成硅胶颗粒。然后在该硅胶组合物存在下，将烃物质通过烃裂化反应进行分解，目的是将由该烃物质分解所形成的碳沉积在硅胶组合物颗粒上。将该含碳的硅胶组合物加热到高温来生产元素硅产物。还描述了使用元素硅来制造光电池的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 太阳 能级 光电池 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造高纯度元素硅的方法，其包括下面的步骤：(a)通过这样的技术来制备硅胶组合物，该技术包括将至少一种有机硅烷化合物与含水组合物进行反应，来形成硅胶颗粒；(b)在该硅胶组合物存在下，将烃物质通过烃裂化反应进行分解，目的是将由该烃物质分解所形成的碳沉积在硅胶组合物颗粒上；和(c)将该含碳的硅胶组合物加热到高于大约1550℃的温度，来生产包含元素硅的产物。
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