[发明专利]利用正向偏置的二极管编程方法无效
| 申请号： | 200880022070.X | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101711412A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | T·库玛;S·B·赫纳;C·J·佩蒂 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种操作非易失性存储单元的方法，其包括提供非易失性单元，所述非易失性单元包括以第一电阻率、未编程状态制造的二极管，以及向所述二极管施加具有比编程所述二极管所需的最小电压更大量级的正向偏置，以将所述二极管变换到第二电阻率、编程状态，其中所述第二电阻率状态比第一电阻率状态低。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 正向 偏置 二极管 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储单元的方法，包括：提供所述非易失性存储单元，所述非易失性存储单元包括以第一电阻率、未编程状态制造的二极管；以及向所述二极管施加具有比编程所述二极管所需的最小电压更大量级的正向偏置，以将所述二极管变换到第二电阻率、编程状态，其中所述第二电阻率状态比第一电阻率状态低。
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